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GaN Protect氮化鎵研發進入快車道

  • 分類:行業新聞
  • 作者:
  • 來源:
  • 發布時間:2022-01-13
  • 訪問量:191

【概要描述】 GaN氮化鎵是提高整個系統性能的關鍵,是創造出接近“理想開關”的電路構件,即一個能將最小能量的數字信號,轉化為無損功率傳輸的電路構件。

GaN Protect氮化鎵研發進入快車道

【概要描述】 GaN氮化鎵是提高整個系統性能的關鍵,是創造出接近“理想開關”的電路構件,即一個能將最小能量的數字信號,轉化為無損功率傳輸的電路構件。

  • 分類:行業新聞
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  • 發布時間:2022-01-13
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詳情

GaN Protect氮化鎵

         將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。

        GaN氮化鎵是提高整個系統性能的關鍵,是創造出接近理想開關的電路構件,即一個能將最小能量的數字信號,轉化為無損功率傳輸的電路構件。

無論是全橋還是半橋電路設計,氮化鎵功率芯片都能夠支持。

 

         氮化鎵功率芯片具備適用性極強的功率范圍和功能,能覆蓋移動快速充電器,數據中心、消費市場、可再生能源和電動車/電動交通工具等市場,從幾十瓦,到上千瓦的各種應用,都能突顯它的優勢!

        GaN Protect 音特團隊正在研發新一代功率保護器件,嵌入模組和單獨應用!

        GaN Protect 理論優勢:

       體積更?。篏aN Protect 器件,可實現比傳統硅器件芯片 2.7~3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。

      速度更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常容易使用。通過簡單的數字輸入、電源輸出操作,布局和控制都很簡單。

      更加環保:由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成,氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量,比硅器件的充電器解決方案低10倍。

      可靠:GaN Protect 器件 符合雙碳政策,更低的內阻,它將會產生更少的熱量,所以產生風險risk更低

什么是GaN Protect? 它是音特研發團隊注冊的商標,將GaN材料用于保護器件!

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